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LED共晶ボンダー

【高速・高精度を高次元でバランスさせたボンダー】

本装置は、高精度搭載が要求されるLED(chip)モジュール組立装置です。 安定して高速・高精度搭載が可能で、モジュール実装に不可欠な高密度搭載にも対応しています。

※実機外観は異なることがあります。

【対応デバイス】

・チップサイズ:□0.2~3.0mm(DiCing frame/Toray)

・基板サイズ:□10*10~110*70mm

特長

  • パルスヒーターの採用により各種の熱プロセスに対応。
  • 直接加熱接合が可能。
  • 個片ワーク対応ボンダー。

仕様

  • 搭載精度
    (X,Y):±15μm以下(3σ)
    θ:±1°(参考値:パターン・チップサイズによる)
  • 接合方法:Au-Sn接合
  • Bonding Head
    搭載荷重0.2~3.0N (VCM制御)
    Heater :パルスヒーター(常温~400℃)

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