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SiCパワーデバイスエージング装置

【パワーデバイスのエージングにも適応!】

本装置は専用の評価用基板にSiCFETがボンディングされた物を対象に、エージング試験を行うものです。

特長

  • 長期のバイアス試験を目的とした装置です。
  • 長期の連続通電を目的とした装置です。

仕様

測定と寿命試験を同時に行うことができます。

高温&高電圧 バイアス試験
温度 250℃
Vd 3500V
Id 10μA(2レンジ)
精度 ±1% F.S.

 

大電流印加試験
温度 100℃
Vd 10V
Id 150A
Vg -10~30V
Ig 10μA
精度 ±1% F.S.

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