LED共晶ボンダー
高速・高精度を高次元でバランスさせたボンダー
本装置は、高精度搭載が要求されるLED（chip）モジュール組立装置です。
安定して高速・高精度搭載が可能で、モジュール実装に不可欠な高密度搭載にも対応しています。
※実機外観は異なることがあります。
対応デバイス
・チップサイズ：□0.2～3.0mm（DiCing frame/Toray）
・基板サイズ：□10*10～110*70mm
特長
- パルスヒーターの採用により各種の熱プロセスに対応。
- 直接加熱接合が可能。
- 個片ワーク対応ボンダー。
仕様
- 搭載精度
（X,Y）：±15μm以下（3σ）
θ：±1°（参考値：パターン・チップサイズによる） - 接合方法：Au-Sn接合
- Bonding Head
搭載荷重0.2～3.0 N （VCM制御）
Heater ：パルスヒーター（常温～400℃）
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