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SiCパワーデバイスエージング装置

SiCパワーデバイスエージング装置 パワーデバイスのエージングにも適応！

本装置は専用の評価用基板にSiCFETがボンディングされた物を対象に、エージング試験を行うものです。

特長

長期のバイアス試験を目的とした装置です。
長期の連続通電を目的とした装置です。

仕様

測定と寿命試験を同時に行うことができます。

高温＆高電圧　バイアス試験
温度	250℃
Vd	3500V
Id	10μA（2レンジ）
精度	±1％ F.S.

大電流印加試験
温度	100℃
Vd	10V
Id	150A
Vg	-10～30V
Ig	10μA
精度	±1％ F.S.

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